英特尔High-NA EUV晶圆处理量突破100万片，超业界其他厂商总和

发布于2026-09-08 14:57:49 综合报道分享

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从英特尔的百万片晶圆起步，ASML高数值孔径极紫外光刻技术的代际更迭才刚刚进入规模化的轨道。

据外媒Tom's Hardware报道，英特尔于本周一宣布，其使用ASML高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机累计处理的300毫米晶圆已突破100万片，距离其首台设备完成组装还不到两年半时间。这一数字涵盖设备安装与认证、工艺研发以及量产等各个环节，是今年早些时候High-NA EUV通过Intel 18A工艺认证、并被用于制造部分Panther Lake处理器之后的最新进展。

（Tom's Hardware报道标题）

英特尔目前的High-NA EUV机队包括2台ASML TWINSCAN EXE:5000和至少1台EXE:5200B。值得注意的是爬坡速度：截至2025年2月底，英特尔每月处理的High-NA EUV晶圆约为3万片，而到2026年9月，累计处理量已越过100万片大关，机队规模和工艺成熟度均实现跨越式增长。

这一数据的分量可以从行业总量中看得更清楚。ASML今年4月曾披露，当时全球所有已出货High-NA EUV设备累计处理的晶圆超过50万片，设备可用率超过80%；而在2026年9月1日台北国际半导体展（SEMICON Taiwan 2026）先进制程科技论坛上，ASML高级副总裁兼High-NA EUV产品管理主管Greet Storms进一步确认，截至2026年7月中旬，全球EXE系统累计曝光晶圆数已突破135万片。换言之，仅英特尔一家处理的晶圆量，就已超过全球其他所有厂商的总和——后者同期约为35万片。

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百万里程碑的意义

首先，这是设备成熟度从实验室走向工厂的实证。ASML首席执行官Christophe Fouquet在7月15日确认英特尔已在Intel 18A上量产部分Core Ultra Series 3（代号“Panther Lake”）处理器时曾表示：“英特尔现在基本上正在其最先进的产品上使用High-NA进行生产。这意味着你今天从英特尔购买的部分产品是用High-NA设备制造的。这证明了设备的成熟度。”

百万片晶圆意味着曝光稳定性、光刻胶表现、良率、设备维护和单片成本等关键量产参数已经过大规模验证。英特尔位于俄勒冈州希尔斯伯勒的18A生产线已完成High-NA EUV“双重认证”，即同一制程层既可用现有0.33 NA的NXE设备曝光，也可用0.55 NA的EXE设备曝光，且产品良率达到NXE平台同等水平。

其次，这是学习循环的复利效应。百万级晶圆吞吐量让英特尔在竞争对手之前积累了最丰富的机队运行数据。ASML方面透露，全球High-NA EUV机队可用率已从约80%提升至2026年7月的84%，目标是2026年第四季度达到90%、中长期达到93%；通过认证的EXE:5200B在验收测试中已达到每小时135片晶圆的吞吐量，较EXE:5000的每小时100片提升35%。设备间套刻精度已做到约0.6纳米，与NXE平台相当甚至部分指标更优。

(ASML TWINSCAN EXE:5000)

再次，这是标准制定权的争夺。目前全球完成High-NA EUV装机的客户共4家、在运设备10台，另有3台正在出货和装机中，台积电据称要到2029年前后才计划导入High-NA EUV。英特尔正在推动一项更激进的变革——将沿用数十年的6×6英寸光掩模标准改为6×12英寸。

由于High-NA EUV采用4X/8X非对称光学设计，传统6英寸掩模单次只能曝光26×16.5毫米的半视场，大尺寸芯片必须通过两次曝光的“拼接（stitching）”完成，这不仅使EXE:5200B的吞吐量从每小时175片降至125片，还要求芯片设计预先适配拼接边界，对准偏差可能造成互连断裂和良率损失。6×12英寸掩模可将掩模面积翻倍，让High-NA设备单次扫描恢复26×33毫米的完整曝光场，但代价是整个掩模供应链的全面改造——从基板制备、电子束写入、检测到防尘膜，而且ASML尚未确认现有设备能否改造适配。若该标准落地，英特尔将握有未来数十年投影光刻基础设施的定义权，先发优势难以估量。

下一代极紫外光刻技术

High-NA EUV的核心是将光学系统的数值孔径（NA）从传统EUV的0.33提升至0.55。数值孔径描述光学系统收集光线的角度范围，NA越大，可实现的图案化精度越高。据ASML官方资料，EXE系列设备的单次曝光分辨率从13纳米提升至8纳米，光学对比度提升40%，可支持2纳米及以下先进制程的单图案化，避免传统EUV在更先进节点上必须依赖的双重乃至多重曝光，从而减少工艺步骤、缺陷率和成本。这类设备单机价格约4亿美元，是传统EUV设备的约两倍，堪称工业史上最昂贵的资本设备之一。

不过，更高的分辨率伴随妥协：非对称光学设计导致曝光视场减半，这正是拼接问题和6×12英寸掩模之争的由来。ASML为三阶段导入路径规划了清晰的技术演进：先把部分既有0.33 NA制程层转移至0.55 NA以积累量产经验，再在下一代节点用High-NA单图案化取代多重曝光，最终针对其二维成像能力重新设计芯片结构。

在生产效率上，EXE:5200C预计提升至每小时160片，EXE:5200D每小时175片，EXE:5400E计划在本十年末达到每小时180片、AA模式每小时210片以上，EUV光源功率将从600瓦提升至1000瓦；更长远的高生产力版本EXE:5600目标为每小时250片以上。

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