据彭博社消息,英伟达计划在 2027 年初,将 Vera Rubin 与 Grace Blackwell 系列服务器的售价上调15% 以上。此举将提升主流内存厂商在 HBM 价格谈判中的议价筹码。Bloter 援引分析师观点,预计 2027 年 HBM 合约价较 2026 年上涨超 50%,三星电子与 SK 海力士有望从中获益。
Bloter 表示,此番涨价行情将覆盖全系列 HBM 产品,包含 HBM3e、HBM4、HBM4e。报道援引瑞银的更为乐观的预测:HBM4、HBM4e 的市场表现远超最初预期,预计 2027 年 HBM 平均销售单价(ASP)相比今年将上涨约 79%。
英伟达涨价,为 HBM 进一步提价打开空间
EBN 指出,英伟达的涨价计划表明这家科技巨头并未自行完全消化上涨成本,而是选择将日益沉重的内存涨价压力转嫁给微软、谷歌、甲骨文等大型客户。
这会进一步增强 HBM 主要供应商的议价地位。Bloter 引用富邦研报测算:即便 Rubin 平台所用 HBM4 成本相对 HBM3e 近乎翻倍,英伟达只需同步上调服务器售价,依旧可以维持 75%‑80% 左右的毛利率。Bloter 称,这意味着英伟达尚有充足空间承受 HBM 继续涨价,会降低其对 HBM 提价的抵触。
DRAM 盈利格局反转,助推 HBM 价格暴涨
Bloter 提到,通用 DRAM 现货价格大幅飙升,是 HBM 涨价的另一大关键推手。报告称,部分 DDR5 价格过去一年近乎翻了四倍,目前 HBM 的盈利能力比 DDR5 大约低 40 个百分点。
该局面一部分源自两者定价模式差异:HBM 价格一般按年度合约锁定,对市场行情变动反应滞后。报告补充,自去年下半年 DDR5 价格暴涨之后,2026 年一季度,64GB RDIMM 服务器内存模组的单晶圆营收与盈利能力已经反超 HBM。
与此同时,HBM 生产效率偏低,也支撑了涨价逻辑。向 HBM 倾斜更多产线,实际产出增量却相对有限;内存厂商相当于要放弃利润更高的通用 DRAM 产能。报告认为,想要拿到更多 HBM 供货,客户给出的报价必须足以弥补这部分利润缺口。
内存供给约束,左右英伟达 HBM 选型
内存成本抬升给了供应商更强议价权,但供给紧张也迫使英伟达做出权衡:调整 HBM 硬件配置。
Polinews 援引集邦咨询的资料报道:从 2026 年第三季度起,英伟达正在为 Rubin Ultra 平台评估多款 HBM 方案。除原定的 12‑Hi(12 层)HBM4e 以外,备选方案还有 8‑Hi HBM4e、12‑Hi HBM4、8‑Hi HBM4。报道称,该调整源于市场担忧:2027 年 DRAM 整体供给持续紧张,且 12 层 HBM4e 的认证验证、良率爬坡仍存在不确定性。
供给紧缺已经不止局限于 HBM,还蔓延至服务器 DRAM,给整套 AI 基础设施再添一层成本压力。Polinews 表示,随着 AI 服务器部署提速,服务器厂商不仅要争抢 GPU 与 HBM,还需要采购更多服务器 DRAM,数据中心运营商整体系统成本随之走高。因此,愈演愈烈的内存紧缺,不仅会影响英伟达的产品硬件规格,也将决定未来 AI 基础设施的建设成本与建设规模。
成为付费用户可以阅读 英伟达 所有资料
了解更多 →