动态|清纯半导体与士兰微电子继续深化8英寸碳化硅量产线技术支撑与代工合作-电子工程专辑
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动态|清纯半导体与士兰微电子继续深化8英寸碳化硅量产线技术支撑与代工合作
碳化硅芯观察
2025-01-09 11:48
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2025年1月7日，清纯半导体与士兰微电子2024年终总结会在杭州士兰微电子股份有限公司顺利举行。士兰微电子董事长陈向东与清纯半导体董事长张清纯及双方研发、运营和产线相关人员共同出席。
双方全面回顾了过去一年来在研发、代工、量产和产业协同上的合作情况，对成功的经验进行了总结，对出现的问题进行了分析并提出了改进措施。
面向2025年，双方围绕新品规划、产品量产和8寸产线建设进行了深入探讨。清纯半导体将与士兰微电子深化技术合作<br/>，推动第二代SiC MOSFET量产爬坡，双方将共同开发包括沟槽型SiC MOSFET等新产品，同时为士兰微电子8寸碳化硅量产线提供技术支撑。
同时，士兰微电子将为清纯半导体提供充足的产能保障，其正在建设的8寸碳化硅量产线也将为清纯半导体提供
独家代工服务
。
双方在碳化硅业务上将继续精诚合作，共同提高彼此的综合竞争力，风雨同舟，携手共进，争取更大的成果。
清纯半导体市场与业绩增长持续突破
2025年元旦期间，清纯半导体发布新年贺词，文章中提到
SiC MOSFET年度销售额
首次突破亿元
，2024年实现SiC MOSFET年度出货超过500万颗，批量应用在光伏与储能、充电桩及高端电源等领域，成为SiC MOSFET国产器件主流供应商之一。
2024年
清纯半导体SiC MOSFT获得了国际头部车企的主驱芯片研发定点，将在未来3年内不断开发并交付业界领先的SiC主驱芯片。
已量产的主驱SiC MOSFET也通过多家车企测试，已开始在国内头部车企开始台架验证。
清纯半导体在市场端成功建立了更优质、更可靠的口碑，越来越多的客户知道清纯、了解清纯、选择清纯。
2024年清纯半导体持续推出业界领先的产品，实现了电压平台从650V-3300V全覆盖的产品规格，完成了第三代SiC MOSFET的平台技术开发工作，在保持高可靠性和高耐压的前提下，
公司最新的
MOS
FET
平台的<br/>比电阻<br/>达到了国际领先的
2
.1
mΩ·cm²
，
面向客户应用的关键参数也持续
进一步优化。
公司牵头及参与多项
SiC MOSFET动态测试标准，旨在为SiC MOSFET功率器件提供一套科学、合理的测试与评估方法，支撑产品性能提升，推动产业高质量发展，同时清纯半导体量产的SiC MOSFET经权威机构测评，其动态可靠性
领先
国际领先水平
；
2024年我们积极参与各类研发项目，成功参与申报了科技部重点研发计划、浙江省“尖兵领雁+X”项目等；并荣获了宁波市科学技术进步一等奖。
除了上文提到的和士兰微保持良好的产能合作外，清纯半导体始终坚持代工产能和自有产能同步推进的双线战略，在产能保障、技术迭代、成本优化、风险可控的四个维度中探索出适合自己的特色产能建设道路。
公司与上海积塔半导体、士兰微电子不断加强合作，2024年清纯半导体与积塔半导体签订新的战略合作协议，推动未来在积塔的持续上量并合作开发未来新型器件的预研工作。2024年，公司的自有产能建设也在按照计划稳步有序推进中。清纯半导体表示将与积塔半导体、士兰微电子和产业各界紧密合作、资源共享，推动产业共同发展。
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